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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　1分米等于多少米，1分米等于多少米厘米　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作出(chū)不予(yǔ)通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业(yè)链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合(hé)肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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